SiC碳化硅：下一代半导体材料的未来

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近年来，SiC碳化硅作为一种新型半导体材料备受关注。高纯度晶圆、4H-半导体SiC晶圆、直径150毫米单晶等SiC晶体材料的制备技术不断成熟，为半导体产业带来了新的发展机遇。SiC单晶具有优良的物理特性，可广泛应用于功率电子、光电子等领域。高纯度SiC材料的研究和生产已成为一个热点，晶圆定制、原切SiC晶圆等定制化服务也受到广泛关注。SiC晶圆作为硅碳化物基板的重要组成部分，具有优异的耐高温、耐辐照性能，被广泛应用于新能源、通信等领域。SiC碳化硅材料的发展将推动半导体产业迈向新的高度，成为下一代半导体材料的未来。